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IRG4BC20W-S	文件：152.24 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.16V,@Vge=15V,Ic=6.5A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTde	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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产品属性

产品编号：
IRG4BC20UDPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，6.5A
开关能量：
160µJ（开），130µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
39ns/93ns
测试条件：
480V，6.5A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 13A 60W TO220AB

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