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IRG4BC20KD-S	文件：222.96 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgene	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20KD-SPBF	文件：364.28 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULRTAFASTSOFRRECOVERYDIODE Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20KS	文件：162.34 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneratio	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20K-S	文件：162.34 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.27V,@Vge=15V,Ic=9.0A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneratio	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20K-SPBF	文件：298.04 Kbytes Page：9 Pages	ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations •	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20MD	文件：251.74 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=11A) Features •Rugged:10µsecshortcircuitcapableatVGS=15V •LowVCE(on)for4to10kHzapplications •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Offershighestefficiencyandshortcircuitcapabilityforinterme	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20MDPBF	文件：296.44 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Rugged:10µsecshortcircuitcapableatVGS=15V •LowVCE(on)for4to10kHzapplications •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode •IndustrystandardTO-220ABpackage •Lead-Free Benefits •Offershighestefficiencyandshortcircuitcapabilityforintermed	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20MDS	文件：200.72 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=11A) Features •Rugged:10µsecshortcircuitcapableatVGS=15V •LowVCE(on)for4to10kHzapplications •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode •IndustrystandardD2Pakpackage Benefits •Offershighestefficiencyandshortcircuitcapabilityforintermediateapplication	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20MD-S	文件：298.37 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20MD-S	文件：200.72 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.85V,@Vge=15V,Ic=11A) Features •Rugged:10µsecshortcircuitcapableatVGS=15V •LowVCE(on)for4to10kHzapplications •IGBTCo-packagedwithultra-soft-recoveryantiparalleldiode •IndustrystandardD2Pakpackage Benefits •Offershighestefficiencyandshortcircuitcapabilityforintermediateapplication	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20MD-SPBF	文件：298.37 Kbytes Page：12 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20S	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20S	文件：157.98 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=10A) Features •Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20SD	文件：287.8 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=10A) Features •Extremelylowvoltagedrop1.4Vtyp.@10A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. •VeryTightVce(on)distribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-para	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20SDPBF	文件：325.61 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Extremelylowvoltagedrop1.4Vtyp.@10A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4KHzinbrushlessDCdrives. •VeryTightVce(on)distribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-paralleldio	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20SDS	文件：382.72 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=10A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20SD-S	文件：382.72 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=10A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20SD-SPBF	文件：512.049 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIOD	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20SPBF	文件：195.96 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC20SPBF	文件：285.84 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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产品属性

产品编号：
IRG4BC20UDPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，6.5A
开关能量：
160µJ（开），130µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
39ns/93ns
测试条件：
480V，6.5A，50 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 13A 60W TO220AB

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