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IRG4BC20SD中文资料PDF规格书

IRG4BC20SD
厂商型号

IRG4BC20SD

参数属性

IRG4BC20SD 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 19A 60W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A)

文件大小

287.8 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-4 12:00:00

IRG4BC20SD规格书详情

Features

• Extremely low voltage drop 1.4Vtyp. @ 10A

• S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives.

• Very Tight Vce(on) distribution

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

• Industry standard TO-220AB package

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

• IGBTs optimized for specific application conditions

• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing

• Lower losses than MOSFETs conduction and Diode losses

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BC20SD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 15V,10A

  • 开关能量:

    320µJ(开),2.58mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    62ns/690ns

  • 测试条件:

    480V,10A,50 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 19A 60W TO220AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
23+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
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IR
2015+
TO-220AB
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全新原装,现货库存长期供应
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TO-220
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Infineon Technologies
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原装
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08+(pbfree)
TO-220AB
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