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IRG4BC20KDPBF中文资料PDF规格书

IRG4BC20KDPBF
厂商型号

IRG4BC20KDPBF

参数属性

IRG4BC20KDPBF 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 16A 60W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

319.73 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-8 22:30:00

IRG4BC20KDPBF规格书详情

Features

• Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for

high operating frequencies >5.0 kHz , and Short

Circuit Rated to 10μs @ 125°C, VGE = 15V

• Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

previous generation

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

bridge configurations

• Industry standard TO-220AB package

• Lead-Free

Benefits

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor

controls possible

• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.

Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and

switching losses

• This part replaces the IRGBC20KD2 and IRGBC20MD2

products

• For hints see design tip 97003

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BC20KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,9A

  • 开关能量:

    340µJ(开),300µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    54ns/180ns

  • 测试条件:

    480V,9A,50 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 16A 60W TO220AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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