| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
9786 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3) |
25573 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
36000 |
16+ |
原装正品,优势库存81 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-220AB |
12500 |
2015+ |
全新原装,现货库存长期供应 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
9852 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220AB |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRNA |
4500 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO220AB |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IR2 |
6523 |
1816+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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irN/A |
6980 |
22+ |
原装现货,可开13%税票 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO220AB |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
9896 |
23+ |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
485 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
25646 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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绿盛电子(香港)有限公司5年
留言
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IRSOP/DIP |
19889 |
2015+ |
一级代理原装现货,特价热卖! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-220 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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IRG4BC20UD图片
IRG4BC20UDPBF价格
IRG4BC20UDPBF价格：￥6.8034品牌：INTERNATIONAL
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IRG4BC20UD中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4BC20UD功能描述:IGBT W/DIODE 600V 13A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC20UDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC20UD-S功能描述:IGBT W/DIODE 600V 13A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC20UD-SPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4BC20UD-STRL功能描述:DIODE IGBT 600V 13A COPAK D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC20UDSTRLP功能描述:IGBT ULT FAST 600V 13A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC20UD-STRR功能描述:DIODE IGBT 600V 13A COPAK D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4BC20UDSTRRP功能描述:IGBT 模块 600V 13A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
产品属性
- 产品编号：
IRG4BC20UD
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，6.5A
- 开关能量：
160µJ（开），130µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
39ns/93ns
- 测试条件：
480V，6.5A，50 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 13A 60W TO220AB
