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IRFPS37N50	文件：115.06 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.13ohm,Id=36A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossSpecified(SeeAN 1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFPS37N50A	文件：115.06 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=0.13ohm,Id=36A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossSpecified(SeeAN 1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFPS37N50A	文件：156.02 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EffectiveCossSpecified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •Switch	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRFPS37N50A	文件：374.03 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IRFPS37N50APBF	文件：147.21 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=500V,RDS(on)max=0.13廓,ID=36A) Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossSpecified(SeeAN 1001) Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFPS37N50APBF	文件：156.02 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EffectiveCossSpecified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •Switch	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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