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IRFR9024N	文件：117.92 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR9024N	文件：886.4 Kbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9024N	文件：309 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR9024N	文件：228.83 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
IRFR9024NCPBF	文件：1.34872 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR9024NCPBF	文件：5.56784 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9024NCPBF	文件：5.33157 Mbytes Page：10 Pages	ULTRA LOW ON-RESISTANCE Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9024NPBF	文件：1.38867 Mbytes Page：11 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175廓 , ID = -11A ) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR9024NPBF	文件：5.00536 Mbytes Page：10 Pages	ULTRA LOW ON-ORSISTANCE Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9024NPBF	文件：5.00517 Mbytes Page：10 Pages	ULTRA LOW ON-RESISTANCE Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9024NPBF	文件：1.38963 Mbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR9024NTR	文件：128.669 Kbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR9024NTR	文件：1.69025 Mbytes Page：5 Pages	-60V P -Channel Enhancement Mode MOSFET GeneralFeatures Vps=-60VIp=-20A Robson)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
IRFR9024NTRLPBF	文件：1.38963 Mbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR9024NTRPBF	文件：1.38963 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR9024NPBF	文件：1.38963 Mbytes Page：11 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR9024NPBF	文件：1.38963 Mbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR9024NPBF_15	文件：1.38963 Mbytes Page：11 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR9024NTRPBF	文件：1.02804 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9024	文件：326.71 Kbytes Page：1 Pages	INSULATEDPCSPACERS/SUPPORTS INSULATEDPCSPACERS/SUPPORTS •Boardwillbeelectricallyinsulated,eliminatesneedforinsulatingwashers •Easysnap-inassembly •Notoolrequiredforinstallation •Designedfor.062(1.57)thickboards •Onepiecedesigneliminatestheneedforadditionalscrewsandnuts •Slimdesig	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2

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详细参数

型号：
IRFR9024N
功能描述：
MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, 11A, 175 mOhm, 12.7 nC Qg, D-Pak
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFR9024N供应商更新时间2024-5-21 16:37:00

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