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ATP214-TL-H	文件：481.77 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATTINY214	文件：3.94518 Mbytes Page：497 Pages	AVR짰MicrocontrollerwithCoreIndependentPeripheralsandpicoPower짰Technology	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
IRFR214TRR	文件：1.74298 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR214TRRA	文件：4.26318 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR214TRRPBFA	文件：873.05 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU214	文件：873.05 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR214,SiHFR214) •Straightlead(IRFU214,SiHFU214) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU214	文件：1.74298 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU214	文件：340.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU214	文件：853.62 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU214	文件：4.26318 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU214	文件：169.07 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=2.0ohm,Id=2.2A) HEXFET®PowerMOSFET VDSS=250V RDS(on)=2.0Ω ID=2.2A	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU214	文件：52.94 Kbytes Page：6 Pages	2.2A,250V,2.000Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheyareadvancedpowerMOSFETsaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRFU214B	文件：647.48 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFU214PBF	文件：2.14295 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET HEXFET®PowerMOSFET •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFR214) •StraightLead(IRFU214) •AvailableinTape&Reel •FastSwitching •EaseofParalleling •Lead-Free	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU214PBF	文件：1.74298 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU214PBF	文件：873.05 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU214PBF	文件：4.26318 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thes	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRXXH214	文件：119.62 Kbytes Page：6 Pages	POWIRLIGHTTMREFERENCEDESIGN:COMPACTBALLAST	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRXXHD214	文件：119.62 Kbytes Page：6 Pages	POWIRLIGHTTMREFERENCEDESIGN:COMPACTBALLAST	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IS214	文件：454.73 Kbytes Page：3 Pages	SmallOutlinePhotoDMOS-FETRelay DESCRIPTION TheIS214isaminiature1-FormAsolidstaterelayina4pinSOPpackage.TheIS214utilisesMOSFETtechnologythatisopticallycoupledtoahighlyefficientGaAlAsinfraredlightemittingdiodes. FEATURES ●SOP4pinpackageforcompactPCBs ●Lowerdriverpowerrequirements ●	ISOCOM Isocom Components 2004 LTD	ISOCOM

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详细参数

型号：
IRFR214TRPBFA
制造商：
KERSEMI
制造商全称：
Kersemi Electronic Co., Ltd.
功能描述：
Power MOSFET

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