| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-252-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
19048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRD-PAK |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
15100 |
20+ |
全新原装公司现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
7704 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-252 |
9484 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
18075 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IRSOT-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
14000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IR原装正品TO-252 |
15100 |
20+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IR/INFINEONTO-252 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
36800 |
21+ |
进口原装现货 假一赔十 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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Infineon英飞凌专营TO-252 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
6500 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
12000 |
24+ |
只做原装假一赔十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
IRFR2405TR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR2405TR图片
IRFR2405TRPBF价格
IRFR2405TRPBF价格：￥1.7163品牌：International Rectifier
生产厂家品牌为International Rectifier的IRFR2405TRPBF多少钱，想知道IRFR2405TRPBF价格是多少？参考价：￥1.7163。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR2405TRPBF批发价格及采购报价，IRFR2405TRPBF销售排行榜及行情走势，IRFR2405TRPBF报价。
IRFR2405TRPBF资讯
IRFR2405TRPBF
IRFR2405TRPBF
IRFR2405TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR2405TR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 56A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR2405TRL功能描述:MOSFET N-CH 55V 56A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR2405TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 56A 16mOhm 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR2405TRPBF功能描述:MOSFET 55V N-CH HEXFET 16mOhms 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR2405TRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 110 W 70 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - DPAK
IRFR2405TRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 56A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
