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深圳市汇莱威科技有限公司

11年 留言
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IRTO252

7906200

深圳市坤融电子科技有限公司

5年 留言
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IRD-PAK

1590

2024+实力库存

只做原厂渠道 可追溯货源

易创佳业科技(深圳)有限公司

3年 留言
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VISHAYTO-252-3 (DPAK)

10000

23+

原装现货支持送检

深圳市高捷芯城科技有限公司

5年 留言
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VISHAY(威世)TO-252

9203

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市华高宇电子有限公司

1年 留言
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VISHAY

10000

10+/20+

TO-252-3 (DPAK)

深圳市创新迹电子有限公司

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VISHAY/威世TO-252

9000

2021+

原装现货,随时欢迎询价

深圳市航润创能电子集团有限公司

4年 留言
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VISHAY/威世NA

10000

21+

只做原装,假一罚十

深圳市安博威科技有限公司

4年 留言
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VISHAYTO-252-3 (DPAK)

10000

21+

原装正品 有挂有货

深圳市星宇佳科技有限公司

2年 留言
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IRTO-252

951

01+

深圳市得捷芯城科技有限公司

6年 留言
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IRNA/

951

23+

优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

深圳市特莱科技有限公司

6年 留言
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IR/INFINEONSOT-252

12580

24+23+

16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品

深圳市拓亿芯电子有限公司

11年 留言
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IRTO-252

30000

23+

全新原装现货,价格优势

深圳市芯福林电子科技有限公司

3年 留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC

13880

21+

公司只售原装,支持实单

深圳市欧立现代科技有限公司

10年 留言
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irN/A

6980

22+

原装现货,可开13%税票

深圳市诺美思科技有限公司

14年 留言
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IRTO-252

9800

22+/23+

原装进口公司现货假一赔百

深圳市华斯顿科技有限公司

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IRTO-252

28917

22+23+

绝对原装正品全新进口深圳现货

深圳市拓亿芯电子有限公司

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IRTO-252

30000

23

全新原装现货 价格优势

深圳廊盛科技有限公司

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IRTO-252

80000

2022

原装现货,OEM渠道,欢迎咨询

深圳市科恒伟业电子有限公司

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TH/韩国太虹TO-252

9851

2048+

只做原装正品现货!或订货假一赔十!

深圳市恒达亿科技有限公司

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IRTO-252

4500

23+

全新原装、诚信经营、公司现货销售

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IRFR224TRPBF价格

IRFR224TRPBF价格:¥2.9793品牌:VISHAY

生产厂家品牌为VISHAY的IRFR224TRPBF多少钱,想知道IRFR224TRPBF价格是多少?参考价:¥2.9793。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFR224TRPBF批发价格及采购报价,IRFR224TRPBF销售排行榜及行情走势,IRFR224TRPBF报价。

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IRFR224TR功能描述:MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR224TRA制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET

IRFR224TRL功能描述:MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR224TRLA制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET

IRFR224TRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR224TRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR224TRR功能描述:MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件