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深圳市纽联电子有限公司

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IRFR13N15DPBF

infineonD-PAK

1706

1621+

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IR/VISHAYTO-252

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市汇莱威科技有限公司

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IRTO252

7906200

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-252

9203

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市纳艾斯科技有限公司

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IRDPAK-3

8000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳权泰科技有限公司

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VISHAYSTO252

2000

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原装现货实单必成 只做原装!

深圳市航润创能电子集团有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-252

100

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进口原装假一赔十支持含税

深圳市龙瀚电子有限公司

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IRTO-252

6210

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全新原装/深圳现货库2

深圳市坤融电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-252

1000

2024+实力库存

只做原厂渠道 可追溯货源

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRTO-252

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23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市科恒伟业电子有限公司

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IRDPAK-3

9800

22+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市微纳尔电子实业有限公司

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INFINEONTO252

3200

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只做原装,可开税票

深圳市美思瑞电子科技有限公司

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IRTO-252

21350

22+

原装正品,实单请联系

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRFR13N15D

IRTO-252

12300

23+

深圳宏捷佳只供全新原装,真实库存,原厂独立经销,含增值税价格优势!

深圳市惊羽科技有限公司

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IRC-TTTO-252-3

18800

24+25+/26+27+

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1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市昌和盛利电子有限公司

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IRTO-252

35890

23+

深圳市恒诺芯科技有限公司

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NA

33220

2322+

无敌价格 主销品牌 正规渠道订货 免费送样!!!

深圳市汇莱威科技有限公司

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VISHAY/威世TO-252

501761

16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量

深圳诚思涵科技有限公司

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IRTO-252

85600

18+

保证进口原装可开17%增值税发票

深圳市胜彬电子有限公司

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IRTO-252

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IRFR13N15DPBF价格

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生产厂家品牌为International的IRFR13N15DPBF多少钱,想知道IRFR13N15DPBF价格是多少?参考价:¥2.0191。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFR13N15DPBF批发价格及采购报价,IRFR13N15DPBF销售排行榜及行情走势,IRFR13N15DPBF报价。

IRFR13N15D资讯

IRFR13N15DTRPBF

IRFR13N15DTRPBF

IRFR13N15D中文资料Alldatasheet PDF

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IRFR13N15D制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 14A 3PIN DPAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:14 A, 150 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

IRFR13N15DPBF功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR13N15DTR功能描述:MOSFET N-CH 150V 14A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR13N15DTRL功能描述:MOSFET N-CH 150V 14A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR13N15DTRLP制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 14A 3PIN DPAK - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 150V 14A DPAK

IRFR13N15DTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 150V 14A 180mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFR13N15DTRR功能描述:MOSFET N-CH 150V 14A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFR13N15DTRRP制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 14A 3PIN DPAK - Tape and Reel