| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRDPAK-3 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
1000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRDPAK-3 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳权泰科技有限公司2年
留言
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VISHAYSTO252 |
2000 |
17+ |
原装现货实单必成 只做原装！ |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
100 |
20+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
6210 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
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深圳市微纳尔电子实业有限公司1年
留言
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INFINEONTO252 |
3200 |
21+ |
只做原装,可开税票 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRDPAK |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VBSEMI-微碧车规-场效应管 |
143788 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市恒诺芯科技有限公司3年
留言
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NA |
33220 |
2322+ |
无敌价格 主销品牌 正规渠道订货 免费送样!!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IRDPAK |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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VBsemi(台湾微碧)TO-252 |
105000 |
2112+ |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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InfineonTechnologiesTO-252-3 |
56800 |
19+ |
DPak(2Leads+Tab) |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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infineonTO-252 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesD-Pak |
2000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
IRFR13N15DTR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR13N15DTR图片
IRFR13N15DTRPBF价格
IRFR13N15DTRPBF价格：￥3.1296品牌：IR
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IRFR13N15DTR资讯
IRFR13N15DTRPBF
IRFR13N15DTRPBF
IRFR13N15DTR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR13N15DTR功能描述:MOSFET N-CH 150V 14A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR13N15DTRL功能描述:MOSFET N-CH 150V 14A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR13N15DTRLP制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 14A 3PIN DPAK - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 150V 14A DPAK
IRFR13N15DTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 150V 14A 180mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR13N15DTRR功能描述:MOSFET N-CH 150V 14A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR13N15DTRRP制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 14A 3PIN DPAK - Tape and Reel
