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IRFD224	文件：467.81 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=0.63A) VDSS=250V RDS(on)=1.1Ω ID=0.63A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.The4-pinDIPpackageisalow-costmachine-insertableca	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFD224	文件：1.11815 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET VDS(V)250 RDS(on)(Ω)VGS=10V1.1 Qg(Max.)(nC)14 Qgs(nC)2.7 Qgd(nC)7.8 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFD224	文件：410.25 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •ForautomaticInsertion •Endstackable •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgene	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFD224_V01	文件：410.25 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •ForautomaticInsertion •Endstackable •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgene	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFD224PBF	文件：1.11815 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET VDS(V)250 RDS(on)(Ω)VGS=10V1.1 Qg(Max.)(nC)14 Qgs(nC)2.7 Qgd(nC)7.8 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFD224PBF	文件：918.17 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET (VDSS = 250V , RDS(on) = 1.1廓 , ID = 0.63A) VDSS=250V RDS(on)=1.1Ω ID=0.63A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.The4-pinDIPpackageisalow-costmachine-insertableca	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFD224PBF	文件：410.25 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
224	文件：45.23 Kbytes Page：1 Pages	AxialLeadandCartridgeFuses-SubminiatureGlassBody	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
224	文件：178.55 Kbytes Page：1 Pages	SMKFEMALETOSMKFEMALESTRAIGHTADAPTER	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
224	文件：199.12 Kbytes Page：2 Pages	Mini7/8MaleInternalThreads5PinFieldAttachable	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
224CMQ	文件：209.34 Kbytes Page：4 Pages	Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability	SMCSintered Metal Company 烧结金属烧结金属公司	SMC
224CMQ	文件：343.71 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER 125℃TJoperation Centertapmodule Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Lowforwardvoltagedrop Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability Baseplate:Nickelplated;Terminals	SMCDIODESMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
224CMQ_SERIES	文件：209.34 Kbytes Page：4 Pages	Centertapmodule	SMCSintered Metal Company 烧结金属烧结金属公司	SMC
224CNQ	文件：208.8 Kbytes Page：4 Pages	AllSMCpartsaretraceabletothewaferlot	SMCSintered Metal Company 烧结金属烧结金属公司	SMC
224CNQ	文件：348.79 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER 125℃TJoperation Centertapmodule Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Lowforwardvoltagedrop Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability Baseplate:Nickelplated;Terminals	SMCDIODESMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
224CNQ	文件：146.34 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
224CNQ_SERIES	文件：208.8 Kbytes Page：4 Pages	Centertapmodule	SMCSintered Metal Company 烧结金属烧结金属公司	SMC
224D	文件：104.86 Kbytes Page：1 Pages	BahcoGroup-ProductCard	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
224DIP	文件：104.86 Kbytes Page：1 Pages	BahcoGroup-ProductCard	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
224J	文件：136.97 Kbytes Page：2 Pages	MetallizedPolypropyleneFilmCapacitor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1

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详细参数

型号：
IRFD224
功能描述：
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRFD224供应商更新时间2024-6-5 9:16:00

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