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IRFB61N15DPBF	文件：166.87 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET SMPSMOSFET Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters •Motor	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB61N15DPBF	文件：175.83 Kbytes Page：9 Pages	High frequency DC-DC converters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IIRFB61N15D	文件：338.66 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighfrequencyDC-DCconverters •UninterruptiblePowerSupplies •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤32mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliable	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB61N15D	文件：338.66 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighfrequencyDC-DCconverters •UninterruptiblePowerSupplies •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤32mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliable	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB61N15D	文件：211.47 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.032ohm,Id=50A) SMPSMOSFET Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters •MotorCon	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

详细参数

型号：
IRFB61N15DPBF
功能描述：
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 95nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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