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深圳市勤思达科技有限公司

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IRFD120

IRFD120

IRDIP-4

10000

13+

深圳市勤思达科技有限公主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IRFD120,IRFD120PBF欢迎咨询洽谈。

深圳市昌和盛利电子有限公司

14年 留言
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IRFD120

TO-220

12800

23+

专注原装正品现货特价中量大可定

深圳市佳杰伟业科技有限公司

12年 留言
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IRFD120

HARRIS/哈里斯DIP

3668

2316+

优势代理渠道,原装现货,可全系列订货

深圳市坤融电子科技有限公司

5年 留言
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IRFD120

IRDIP

33

2024+实力库存

只做原厂渠道 可追溯货源

深圳市科翼源电子有限公司

1年 留言
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IRFD120

VSDIP

6500

23+

原厂原装正品

深圳市金胜达微科技有限公司

2年 留言
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IRFD120PBF

VISHAYDIP-4

14000

21+

原厂订货价格优势,可开13%的增值税票

深圳市科恒伟业电子有限公司

2年 留言
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VISHAY/威世DIP-4

9800

22+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市天成基业科技有限公司

2年 留言
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VISHAY/威世DIP-4

10243

21+

全新、原装

深圳市粤骏腾电子科技有限公司

13年 留言
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VISHAYHVMDIP

20000

22+

原装正品支持实单

深圳市赛尔通科技有限公司

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VISHAYDIP-4

65400

23+

深圳市拓亿芯电子有限公司

10年 留言
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VISHAY/威世DIP-4

22000

23+

原装现货假一罚十

深圳市芯祺盛科技有限公司

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VISHAYDIP-4

8104

20+

原装库存有订单来谈优势

深圳市坤融电子科技有限公司

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VISHAY/威世DIP-4

100

2024+实力库存

只做原厂渠道 可追溯货源

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)DIP-4

27048

23+

原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

深圳市美思瑞电子科技有限公司

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VISHAY原厂封装

15850

22+

原装正品,实单请联系

深圳市宝隆宏业科技有限公司

7年 留言
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    雷先生

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VISHAY/威世DIP-4

36800

21+

进口原装现货 假一赔十

深圳市赛能新源半导体有限公司

4年 留言
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    13510673492

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IR/INFINEONDIP-4

60000

21+

原装正品进口现货

深圳市昊创电子有限公司

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VISHAYHVMDIP

9450

2021+

原装现货。

深圳市中联芯电子有限公司

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    陈楠

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VISHAY/威世DIP-4

8750

24+

只做原装/假一赔十/安心咨询

深圳市得捷芯城科技有限公司

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    蔡芷婷

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Infineon(英飞凌)DIP-4

31316

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IRFD120PBF价格

IRFD120PBF价格:¥1.6153品牌:VISHAY

生产厂家品牌为VISHAY的IRFD120PBF多少钱,想知道IRFD120PBF价格是多少?参考价:¥1.6153。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFD120PBF批发价格及采购报价,IRFD120PBF销售排行榜及行情走势,IRFD120PBF报价。

IRFD120PBF资讯

IRFD120PBF IRFH5301TRPBF IRFH8318TRPBF IRFL014NTRPBF IRFL024NTRPBF IRFL9014TRPBF IRFP064NPBF IRFP1405PBF IRFBG30PBF IRFP150MPBF IRFBE30PBF IRFP22N50APBF IRFP240PBF IRFP250MPBF IRFP250NPBF IRFP260MPBF IRFP260NPBF IRFP264PBF IRFP2907PBF IRFS4227TRLPBF IRFP1

本公司只做原装。欢迎新老客户来电咨询并与我们建立长期友好的合作关系!

IRFD120

型号:IRFD120 品牌:VISHAY 描述:MOSFETN-CH100V1.3A4-DIP 数据列表:IRFD120 标准包装:2,500 类别:分离式半导体产品 家庭:FET-单路 FET型:MOSFETN通道,金属氧化物 FET特点:Standard

IRFD120PBF中文资料Alldatasheet PDF

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IRFD120功能描述:MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFD120PBF功能描述:MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRFD120S2497制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk