型号：IRFD120

品牌： VISHAY

描述：MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

数据列表：IRFD120

标准包装：2,500

类别：分离式半导体产品

家庭：FET - 单路

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：Standard

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫欧 @ 780mA, 10V

漏极至源极电压(Vdss)： 100V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.3A

Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs：16nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)：360pF @ 25V

功率最大：1.3W

安装类型：通孔

封装/外壳： 4-DIP（0.300", 7.62mm）

供应商设备封装： 4-DIP，Hexdip，HVMDIP

包装：管件

其它名称：IRFD120PBF

封装：DIP4

数量：20000

单价：面议

备注：深圳市勤思达科技有限公司主营 VISHAY系列全新原装正品，公司现货供应 IRFD120PBF，绝对原装正品

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