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IRFSL41N15DPBF	文件：342.04 Kbytes Page：13 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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制造商&上传企业

LOGO

IRFSL41N15DPBF

文件：342.04 Kbytes

Page：13 Pages

HEXFETPowerMOSFET

Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRFSL41N15DPbF

文件：714.57 Kbytes

Page：13 Pages

HighfrequencyDC-DCconverters

Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp. NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent ●Lead-Free Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

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详细参数

型号：
IRFB41N15DPBF
功能描述：
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRFB41N15DPBF供应商更新时间2024-5-16 14:02:00

详细参数

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