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IRFB4020PBF	文件：638.45 Kbytes Page：7 Pages	DIGITAL AUDIO MOSFET Description ThisDigitalAudioMOSFETisspecificallydesignedforClass-Daudioamplifierapplications.ThisMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Furthermore,Gatecharge,body-diodereverserecoveryandinternalGateresistanceareopti	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB4020PBF	文件：647.41 Kbytes Page：8 Pages	Key parameters optimized for Class-D audio amplifier applications	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB4020PBF_15	文件：647.41 Kbytes Page：8 Pages	Key parameters optimized for Class-D audio amplifier applications	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
4020	文件：95.49 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGECAPACITORSMONOLITHICCERAMICTYPE	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
4020	文件：353.66 Kbytes Page：1 Pages	10W-33KVSINGLEOUTPUTDC/DCINDUSTRIAL Features •0to100adjustability. •Voltageprogrammable. •Voltagemonitor. •Remoteon/offcontrol. •EMI/RFIshielding. •Shortcircuit,reversepolarityprotection. •Arcprotection.	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
4020	文件：156 Kbytes Page：3 Pages	DCResponse,SiliconMEMS	TECTE Connectivity Ltd 泰科电子泰科电子有限公司	TEC
ACP-4020	文件：1.06386 Mbytes Page：2 Pages	348mmDepth4URackmountChassisforHalf-sizeSBCorATXMotherboard	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
AD4020	文件：789.74 Kbytes Page：37 Pages	PrecisionSAR,DifferentialADC	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD4020	文件：3.93792 Mbytes Page：34 Pages	36VFully-DifferentialProgrammable-GainInstrumentationAmplifierwith25pAInputBiasCurrent	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD4020	文件：2.2649 Mbytes Page：28 Pages	1nV/?숰z420MHzGBW,180V/關s,LowDistortionRail-to-RailOutputOpAmps	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD4020	文件：1.025569 Mbytes Page：39 Pages	20-Bit,1.8MSPS/1MSPS/500kSPS,EasyDrive,DifferentialSARADCs	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD4020BRMZ	文件：1.025569 Mbytes Page：39 Pages	20-Bit,1.8MSPS/1MSPS/500kSPS,EasyDrive,DifferentialSARADCs	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD4020BRMZ	文件：789.74 Kbytes Page：37 Pages	PrecisionSAR,DifferentialADC	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AMR4020	文件：1.0049 Mbytes Page：9 Pages	HighAccuracyAnalogMagneticScaleSensor Description TheAMR40X0seriesmagneticgratesensors integratetwopush-pullWheatstonebridges,each ofwhichcontainsfourhigh-sensitivityanisotropic magnetoresistance(AMR)sensingelements.Sucha designeffectivelycompensatestemperaturedriftto ensurehighaccuracyunderwidetemp	MULTIDIMENSIONMultiDimension Technology Co.,Ltd. 多维科技江苏多维科技有限公司	MULTIDIMENSION
AMR4020D	文件：1.0049 Mbytes Page：9 Pages	HighAccuracyAnalogMagneticScaleSensor Description TheAMR40X0seriesmagneticgratesensors integratetwopush-pullWheatstonebridges,each ofwhichcontainsfourhigh-sensitivityanisotropic magnetoresistance(AMR)sensingelements.Sucha designeffectivelycompensatestemperaturedriftto ensurehighaccuracyunderwidetemp	MULTIDIMENSIONMultiDimension Technology Co.,Ltd. 多维科技江苏多维科技有限公司	MULTIDIMENSION
APT4020	文件：50.97 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT4020AN	文件：309.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=22.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT4020BN	文件：344.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT4020BN	文件：50.97 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT4020BNR	文件：344.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
IRFB4020PBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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