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IRF9620S	文件：165.28 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.5A) Description TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. •SurfaceM	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9620S	文件：177.61 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheD2PAK(T	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9620S	文件：200.45 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9620S_V01	文件：200.45 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9620SPBF	文件：1.0558 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. •SurfaceM	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9620SPbF	文件：177.61 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheD2PAK(T	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9620SPBF	文件：200.45 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9620STRLPbF	文件：177.61 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheD2PAK(T	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9620STRLPBFA	文件：200.45 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
9620	文件：213.9 Kbytes Page：2 Pages	RFamplifier	JOHANSON Johanson Technology Inc.	JOHANSON
9620	文件：177.17 Kbytes Page：2 Pages	Electronic,5C#16StrTC,PVCIns,PVCJkt ProductDescription Electronic,5Conductor16AWG(19x29)TinnedCopper,PVCInsulation,PVCOuterJacket	BELDEN Belden Inc.	BELDEN
9620	文件：3.18812 Mbytes Page：60 Pages	IntroductiontoKnowlesPrecisionDevices Applications RFamplifier LCFiltersandNetworks BroadbandWirelessLAN MedicalDevices CordlessandCellularphones DR/CrystalOscillator Microstriplinefilters	KNOWLESKnowles Knowles	KNOWLES
9620-SL	文件：3.18812 Mbytes Page：60 Pages	IntroductiontoKnowlesPrecisionDevices Applications RFamplifier LCFiltersandNetworks BroadbandWirelessLAN MedicalDevices CordlessandCellularphones DR/CrystalOscillator Microstriplinefilters	KNOWLESKnowles Knowles	KNOWLES
AP9620	文件：90.87 Kbytes Page：2 Pages	LegacyCommunicationsSmartSlotCard	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
AP9620AGM-HF	文件：99.2 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5VGateDrive,LowerOn-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9620GM	文件：79.62 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9620GM-HF	文件：62.53 Kbytes Page：6 Pages	LowOnResistance,Capableof2.5VDrive	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP9620M	文件：77.31 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
BTRS-9620AG	文件：119.55 Kbytes Page：5 Pages	1310nmTX/1550nmRX,3.3V/2.5GbpsRoHSCompliantSingle-FiberWDMTransceiver	OPTOWAYOptoway Technology Inc 奥普薇科技奥普薇科技股份有限公司	OPTOWAY
BTRS-9620AG	文件：118.9 Kbytes Page：5 Pages	1310nmTX/1550nmRX,3.3V/2.5GbpsRoHSCompliantSingle-FiberWDMTransceiver	OPTOWAYOptoway Technology Inc 奥普薇科技奥普薇科技股份有限公司	OPTOWAY

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详细参数

型号：
IRF9620S
功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 3.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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详细参数

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