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IRF9640	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRF9640	文件：63.94 Kbytes Page：7 Pages	11A, 200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs TheseareP-Channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRF9640	文件：170.94 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-11A) VDSS=-200V RDS(on)=0.50Ohm ID=-11A	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9640	文件：1.92898 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9640	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •ImprovedInductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysllicongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF9640	文件：158.98 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •ImprovedInductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysllicongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF9640	文件：158.01 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutparts	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9640	文件：272.54 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9640	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
IRF9640_V02	文件：158.01 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutparts	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9640L	文件：230.33 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinform	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9640PBF	文件：3.45318 Mbytes Page：7 Pages	Hexfet Power Mosfet	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9640PBF	文件：1.92898 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9640S	文件：170.71 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-11A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9640S	文件：230.33 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinform	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9640S_V01	文件：230.33 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinform	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9640SPBF	文件：979.82 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9640_V01	文件：272.54 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF9640L	文件：197.87 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF9640L	文件：197.87 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
IRF9640
功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 11 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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