IRF530NS数据表ic资料批发采购英飞凌第6页-114ic电子网

首页 >IRF530NS>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
FDMA530PZ	文件：286.3 Kbytes Page：6 Pages	SingleP-ChannelPowerTrenchMOSFET-30V,-6.8A,35mohm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FM530	文件：80.33 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ●Forsurfacemountedapplications. ●ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ●Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM530	文件：404.06 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERVOLTAGERANGE20to200VoltsCURRENT5.0Ampere	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
FM530	文件：326.72 Kbytes Page：6 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
FM530	文件：636.11 Kbytes Page：3 Pages	5ASMDSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS,20V-200V	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
FM530B	文件：310.21 Kbytes Page：6 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
FM530-B	文件：80.05 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ●Forsurfacemountedapplications. ●ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ●Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM530-BS	文件：641.66 Kbytes Page：3 Pages	5ASMDSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS,20V-200V	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
FM530L	文件：360.3 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERVOLTAGERANGE20to200VoltsCURRENT5.0Ampere	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
FM530-T	文件：80.6 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ●Forsurfacemountedapplications. ●ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ●Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
IRF530PBF	文件：608.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF530PBF	文件：3.55687 Mbytes Page：7 Pages	Dynamicdv/dtRating,FastSwitching,EaseofParalleling,SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530PBF	文件：280.81 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF530R	文件：390.01 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETsAvalancheEnergyRated	HARRIS HARRIS corporation	HARRIS
IRF530S	文件：177.08 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •SurfaceMount •Availablein	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF530S	文件：180.1 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.16ohm,Id=14A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530S	文件：171.61 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530S	文件：916.94 Kbytes Page：8 Pages	Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF530S	文件：1.00811 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF530S	文件：218.01 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatas	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

<<<1 2 3 4 567 8 9 10 11 >>>

详细参数

型号：
IRF530NS
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
标准国际(香港)有限公司	IRF530NS	INFINEON	1912+		950	全新原装!优势库存热卖中!	询价
深圳市旺财半导体有限公司	IRF530NS	IR	23+	TO263	35680	只做进口原装QQ:373621633	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IRF530NS	INFINEON/英飞凌	2021+	TO-263	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
深圳市特莱科技有限公司	IRF530NS	INFINEON/英飞凌	21+23+	TO-263	2500	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IRF530NS	IR	23+	TO263	3100	绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购!	询价
绿盛电子(香港)有限公司	IRF530NS	IR	2015+	SOP/DIP	19889	一级代理原装现货,特价热卖!	询价
深圳市星佑电子有限公司	IRF530NS	IR	04+	原厂原装	3200	全新原装绝对有货	询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRF530NS	IOR	23+	TO-263	8000	全新原装现货,欢迎来电咨询	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IRF530NS	IR	23+	TO-263	9896		询价
深圳市特顺芯科技有限公司	IRF530NS	IR	05+	TO-263	42		询价

更多IRF530NS供应商更新时间2024-5-15 9:13:00

详细参数

相关规格书

相关库存