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IRF530NS	文件：618.07 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530NS	文件：1.5565 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF530NS	文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530NS	文件：189.19 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF530NS	文件：1.01006 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF530NSPBF	文件：275.75 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530NSTRLPBF	文件：876.19 Kbytes Page：4 Pages	Advanced Process Technology Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530NSTRRPBF	文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530NSPBF	文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF530NSPBF_15	文件：284.9 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
530	文件：1.6009 Mbytes Page：96 Pages	Pentium4ProcessorsSupportingHyper-ThreadingTechnology Introduction TheIntel®Pentium®4processoron90nmprocessinthe775-landpackageisafollowontothePentium4processorinthe478-pinpackagewithenhancementstotheIntelNetBurst®microarchitecture.ThePentium4processoron90nmprocessinthe775-landpackageusesFlipChipLandGr	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）	Intel
530	文件：481.68 Kbytes Page：27 Pages	Intel짰Solid-StateDrive530Series(2.5-inch)	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）	Intel
530BUE	文件：155.61 Kbytes Page：2 Pages	Security&Sound,#18-20c,BC,CMR ProductDescription Security&SoundCable,Riser-CMR,20-18AWGstrandedbarecopperconductorswithPVCinsulation,PVCjacketwithripcord	BELDEN Belden Inc.	BELDEN
530JPKC	文件：113.24 Kbytes Page：3 Pages	LED	HBHB Electronic Components HB Electronic Components	HB
530PWC	文件：1.7202 Mbytes Page：11 Pages	Singlecolor	HBHB Electronic Components HB Electronic Components	HB
ACTF530	文件：74.99 Kbytes Page：3 Pages	low-loss,compact,andeconomicalsurface-acoustic-wave(SAW)filter	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术	ACT
ACTQ530	文件：59.03 Kbytes Page：3 Pages	surface-acoustic-wave(SAW)resonator	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术	ACT
ACTR530	文件：58.54 Kbytes Page：3 Pages	trueone-port,surface-acoustic-wave(SAW)resonator	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术	ACT
AD530	文件：1.04322 Mbytes Page：8 Pages	IntegtatedCircuitMultiplier,Divider,Squarer,SquareRooster	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD530D	文件：1.04322 Mbytes Page：8 Pages	IntegtatedCircuitMultiplier,Divider,Squarer,SquareRooster	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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详细参数

型号：
IRF530NS
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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