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IRLI530N	文件：144.89 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLI530NPBF	文件：225.16 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLI530NPBF	文件：234.12 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLI530NPBF	文件：2.97762 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRLS530	文件：259.81 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=100V ●LowerRDS(ON):0.101Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRLS530A	文件：259.81 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=100V ●LowerRDS(ON):0.101Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRLS530A	文件：271.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLW530A	文件：361.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLW530A	文件：273.26 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.12Ω ID=14A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦175°COperatingTemperature ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=100V ♦LowerRDS(ON):	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRLWI530A	文件：273.26 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSM530	文件：673.09 Kbytes Page：5 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB530	文件：665.26 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
L-530	文件：19.03 Kbytes Page：1 Pages	Inductor	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
L530FI	文件：156.92 Kbytes Page：3 Pages	TurnlokLockingDevicesFlangedInletsOutlets	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
L530FO	文件：156.92 Kbytes Page：3 Pages	TurnlokLockingDevicesFlangedInletsOutlets	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
LB530Z	文件：390.38 Kbytes Page：12 Pages	GREENOVALLAMPLED GREENOVALLAMPLED	SEOUL Seoul Semiconductor Co., Ltd.	SEOUL
LC530Z	文件：390.38 Kbytes Page：12 Pages	GREENOVALLAMPLED GREENOVALLAMPLED	SEOUL Seoul Semiconductor Co., Ltd.	SEOUL
LFCN-530	文件：139.16 Kbytes Page：1 Pages	LowPassFilter	MINIMini-Circuits 微型电路	MINI
LFCN-530+	文件：306.01 Kbytes Page：1 Pages	LOWPASSFILTERS	MINIMini-Circuits 微型电路	MINI
LFCN-530+	文件：298.77 Kbytes Page：1 Pages	LOWPASSFILTERS	MINIMini-Circuits 微型电路	MINI

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详细参数

型号：
IRF530NS
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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