IPDH6N03LAGXT技术资料参数供应商报价-114ic电子网

首页 >IPDH6N03LAGXT>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
IPBH6N03LAG	文件：280.51 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPDH6N03LA	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPDH6N03LAG	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPDH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPFH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPFH6N03LAG	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPSH6N03LAG	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPSH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPSH6N03LB	文件：312.01 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPUH6N03LAG	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPUH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPUH6N03LB	文件：312.01 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
MMDF6N03HD	文件：207.39 Kbytes Page：10 Pages	DUALTMOSPOWERMOSFET30VOLTS MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSDualN-ChannelFieldEffectTransistors DualHDTMOSdevicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeaturelowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.DualH	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMDF6N03HD	文件：236.06 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET6Amps,30Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMFT6N03HD	文件：74.16 Kbytes Page：4 Pages	TMOSPOWER6.0AMPERES30VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
PHT6N03LT	文件：53.16 Kbytes Page：6 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHT6N03LTissuppliedintheSOT223surfa	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHT6N03T	文件：70.3 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technology,thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintende	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
SSM6N03FE	文件：147.48 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM6N03FE	文件：137.69 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType HighSpeedSwitchingApplications AnalogSwitchApplications •Inputimpedanceishigh.Drivingcurrentisextremelylow. •CanbedirectlydrivenbyaCMOSdeviceevenatlowvoltagedueto lowgatethresholdvoltage. •High-speedswitching. •Housedinaultra-smallpackagewhichissui	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
IPDH6N03LAGXT
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	IPDH6N03LAGXT	INFINEON	23+		8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IPDH6N03LAGXT	INFINEON	23+		8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市威雅利发展有限公司	IPDH6N03LAG原装	INFINEON	0806+	TO-252	826	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市福安瓯科技有限公司	IPDH6N03LAG原装	INFINEON/英飞凌	23+	TO-252	11220	英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IPDH9N03LA	IR	23+	SOT-252	12300	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市芯巴巴科技有限公司	IPDH9N03LA	Infineon/英飞凌	22+		20000	全新、原装、现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IPDH9N03LA	IR	22+	RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市华鑫创达电子有限公司	IPDH9N03LA	INFINEON/英飞凌	21+	TO-252	10000	公司原装现货,欢迎咨询	询价
深圳市惊羽科技有限公司	IPDH9N03LA	INFINEON-英飞凌	24+25+/26+27+	TO-252-3	78800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市勤思达科技有限公司	IPDH9N03LAG	INFINEON	2012+	TO-252	12000	全新原装,绝对正品,公司现货供应。	询价

更多IPDH6N03LAGXT供应商更新时间2024-5-8 15:00:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263、8246-9723
Fax：+86-755-8246-9723-808
Email：114ic＠114ic.com
上传库存：stock＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号