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090N03L	文件：1.7381 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
090N03L	文件：315.67 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Power-Transistor OptiMOS™3Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalanche	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
090N03LG	文件：1.63965 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
BSC090N03LSG	文件：527.24 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSC090N03LSG	文件：390.63 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-MOSFET OptiMOS™3Power-MOSFET Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel;Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSC090N03MSG	文件：387.44 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSC090N03MSG	文件：530.58 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IIPD090N03L	文件：335.72 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤9mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD090N03L	文件：537.57 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS3Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalancherated •Pb-freeplating;Ro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD090N03L	文件：335.72 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤9mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD090N03LG	文件：1.35349 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS3Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPD090N03LG	文件：537.57 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS3Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalancherated •Pb-freeplating;Ro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPF090N03LG	文件：537.57 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS3Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalancherated •Pb-freeplating;Ro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPF090N03LG	文件：1.35349 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS3Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPS090N03LG	文件：537.57 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS3Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalancherated •Pb-freeplating;Ro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPS090N03LG	文件：1.35349 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS3Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPU090N03LG	文件：537.57 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS3Power-Transistor Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Avalancherated •Pb-freeplating;Ro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPU090N03LG	文件：1.35349 Mbytes Page：12 Pages	OptiMOS3Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
RSH090N03	文件：174.97 Kbytes Page：4 Pages	4VDriveNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS090N03	文件：59.64 Kbytes Page：4 Pages	Switching(30V,9A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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详细参数

型号：
IPF090N03L G
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 40A 9mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	IPF090N03LG	INFINEON	08+(pbfree)	ReverseD-Pak	8866		询价
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更多IPF090N03L G供应商更新时间2024-5-13 16:30:00

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