编号：863-NSV1C201MZ4T1G

制造商编号：

NSV1C201MZ4T1G

制造商：onsemi

客户编号:

说明：

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN LOW VCE(SAT) TRA

数据表:

NSV1C201MZ4T1G 数据表 (PDF)

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制造商: onsemi

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS: 详细信息

REACH - SVHC:

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-223-4

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V

集电极—基极电压 VCBO: 140 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V

集电极—射极饱和电压: 180 mV

最大直流电集电极电流: 2 A

Pd-功率耗散: 800 mW

增益带宽产品fT: 100 MHz

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

资格: AEC-Q101

系列: NSS1C201MZ4

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

集电极连续电流: 2 A

直流电流增益 hFE 最大值: 360

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

1000

子类别: Transistors

技术: Si

单位重量: 112 mg