PANJIT 30 V 和 40 V 高级增强模式逻辑电平 MOSFET 旨在最大限度地减少 RDS(ON) 同时最大限度地提高雪崩强度和空间利用率，符合 AEC-Q101 标准，结温高达 +175°C。它们采用各种紧凑型封装，例如 DFN3x3、DFN5x6 和 DFN5060-8L。这些产品非常适用于电源管理功能、反极性保护、电池电源设备、LED 照明、信息娱乐、远程信息处理、高级驾驶辅助系统 (ADAS)、电机驱动器、有刷直流电机、电子转向和直流风扇。它们是希望在优化性能的同时简化电路的汽车设计工程师的最佳选择。

特性

通过 AEC-Q101 鉴定，支持 PPAP

低 RDS(ON)，以最小化传导损耗

100%_未钳位电感开关 (UIS) 测试

低热阻封装

静电敏感器件 (ESD) 能力

最高工作结温 +175°C

应用

电源管理功能

反极性保护

电池供电型设备

LED 照明

信息娱乐

远程信息处理

ADAS

螺线管和电机驱动器

有刷直流电机

电子转向

直流风扇