制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-262-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 800 V

Id-连续漏极电流: 4.1 A

Rds On-漏源导通电阻: 3 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 78 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

系列: IRFBE

封装: Tube

商标: Vishay Semiconductors

配置: Single

高度: 9.65 mm

长度: 10.67 mm

产品类型: MOSFET

1000

子类别: MOSFETs

宽度: 4.83 mm

单位重量: 2.387 g