产品分类

MOSFETs

晶体管

阈值电压Vgs(th)

0.7V

FET类型

N + N Channel

漏源导通电阻 RDS(on)

31.5mΩ

输入电容Ciss

466pF

额定功率

1.5W

充电电量

5.7nC

栅极源极击穿电压

±10V

元件生命周期

Active

存储温度

-55~+150℃

引脚数

6Pins

原产国家

China Taiwan

原始制造商

TECH PUBLIC

品牌

TECH PUBLIC

漏源极电压（Vdss）

20V

是否无铅

No

零件状态

Active

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流Id@25℃

6A

输入电容(Ciss)(Max)

466pF

功率(Max)

1.5W

工作温度(Tj)

-55~+150℃

安装类型

SMT

封装/外壳

SOT-23-6