IRF7509TRPBF

2019-11-19 10:40:00
  • 製造商: Infineon 產品類型: MOSFET RoHS: 詳細資料 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: Micro-8 通道數: 2 Channel 晶體管極性: N-Channel, P-Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V Id - C連續漏極電流: 2.7 A Rds On - 漏-源電阻: 200 mOhms Vgs - 閘極-源極電壓: 20 V Qg - 閘極充電: 7.8

製造商: Infineon

產品類型: MOSFET

RoHS: 詳細資料

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: Micro-8

通道數: 2 Channel

晶體管極性: N-Channel, P-Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V

Id - C連續漏極電流: 2.7 A

Rds On - 漏-源電阻: 200 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: 20 V

Qg - 閘極充電: 7.8 nC, 7.5 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 150 C

Pd - 功率消耗 : 1.25 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.11 mm

長度: 3 mm

晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel

寬度: 3 mm

品牌: Infineon / IR

互導 - 最小值: 1.9 S, 0.92 S

下降時間: 5.3 ns, 9.3 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 10 ns, 12 ns

原廠包裝數量: 4000

子類別: MOSFETs

標準斷開延遲時間: 12 ns, 19 ns

標準開啟延遲時間: 4.7 ns, 9.7 ns

零件號別名: SP001570444

每件重量: 25.540 mg

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