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STP10NM65N数据表

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS: N

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 9 A

Rds On-漏源导通电阻: 480 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 25 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 90 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 9.15 mm

长度: 10.4 mm

系列: STP10NM65N

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.6 mm

商标: STMicroelectronics

下降时间: 20 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 8 ns

工厂包装数量: 50

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 50 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

单位重量: 330 mg