ESD9X3.3ST5G ON ESD保护二极管 10.4V 3.3 V 150mW 优势原装现货
ESD9X3.3ST5G产品详细规格
规格书 ESD9X3.3ST5G datasheet 规格书
ESD9X3.3ST5G datasheet 规格书
ESD9X3.3ST5G Series
文档 Copper Wire 19/May/2010
Datasheet Update Max Forward Voltage 18/Jan/2008
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Specification Update Max Forward Voltage 18/Jan/2008
标准包装 8，000
电压 - 反向隔离（典型值） 3.3V
- 击穿电压 5V
功率（瓦特） 102W
极化 Unidirectional
安装类型 Surface Mount
包/盒 SOD-923
供应商器件封装 SOD-923
包装材料 Tape & Reel (TR)
引脚数 2
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
供应商封装形式 SOD-923
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
配置 Single
方向类型 Uni-Directional
最大钳位电压 10.4
封装 Tape and_Reel
最大工作电压 3.3
电容值 80(Typ)
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
最大泄漏电流 2.5
类型 TVS
最大ESD保护电压 ±30@Air Gap/±30@Contact Disc/16@H...
铅形状 Flat
电压 - 钳位（最大） @ IPP 10.4V
安装类型 Surface Mount
供应商设备封装 SOD-923
电压 - 击穿（最小值） 5V
单向通道数 1
电压 - 反向隔离（标准值） 3.3V (Max)
应用范围 General Purpose
工作温度 -55°C ~ 150°C
电容@频率 80pF @ 1MHz
电源线保护 No
功率 - 峰值脉冲 102W
电流 - 峰值脉冲（ 10/1000μS ） 9.8A (8/20μs)
封装/外壳 SOD-923
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 ESD9X3.3ST5GOSCT
极性 Unidirectional
钳位电压 10.4 V
产品种类 TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors
外形尺寸 0.6 mm W x 0.8 mm L
工厂包装数量 8000
系列 ESD9X3.3ST5G
端接类型 SMD/SMT
通道 1 Channel
工作电压 3.3 V
电容 80 pF
击穿电压 5 V
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SOD-923
峰值浪涌电流 9.8 A
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
漏电流（最大） 2.5uA
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOD-923
元件数 1
工作温度分类 Military
反向击穿电压 5 V
峰值脉冲电流 9.8 A
反向断态电压 3.3 V
测试电流（It ） 1 mA
弧度硬化 No
安装风格 Surface Mount
工作温度最高摄氏度。 150C
工作温度敏度。 -55C
产品长度（mm ） 0.8 mm
产品厚度（毫米） 0.6 mm
产品高度（mm ） 0.39 mm
电容值 80pF
抑制器类型 TVS
钳位电压（最大） 10.4V
工作电压（最大值） 3.3V
泄漏电流 2.5uA
工作电压 3.3V
associated SP1003-01DTG
鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
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TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、、IRLML2502TRPBF、TP4101、IRLML6401TRPBF、TLV70433DBVR、PESD5V0S1BB、PSM712-LF-T7、NTR4171PT1G、SGM2036-3.3YUDH4G/TR 、SGM2036-1.8YUDH4G/TR、DMN2046U-7等等。
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ESD9X3.3ST5G ESD9X3.3ST5G ESD9X3.3ST5G ESD9X3.3ST5GESD9X3.3ST5G ESD9X3.3ST5G ESD9X3.3ST5G ESD9X3.3ST5G ESD9X3.3ST5G ESD9X3.3ST5G ESD9X3.3ST5G ESD9X3.3ST5G ESD9X3.3ST5G ESD9X3.3ST5G ESD9X3.3ST5G ESD9X3.3ST5G
据日经新闻亚洲评论报导，该消息人士表示，长鑫还无法完全消除威胁，其生产中依然会使用到美国的半导体设备(如Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys)，但重新设计能够降低威胁，避免触及美国的知识产权。
长鑫存储董事长兼CEO朱一明去年10月还曾前往欧洲，与欧洲最大的半导体设备供应商ASML商谈合作，并访问了比利时的IMEC，这是一家专注于纳米电子和数字技术的开创性研究机构。由此可见，长鑫正在寻求美国以外的供应商的支持。
据了解，长鑫在合肥投资80亿美元建造了一家晶圆厂，预计将于今年年底前投产。其中一位消息人士指出，长鑫最初每月将生产约10，000片晶圆，虽然需要经历某种学习曲线，但长鑫计划在今年年底之前获得一些产出。
不过，根据长鑫去年透露DRAM项目5年规划，该公司计划在2018年底量产8Gb DDR4工程样品;2019年3季度量产8Gb LPDDR4;2019年底实现产能2万片/月;2020年开始规划二厂建设;2021年完成17纳米技术研发。
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