NTR4101PT1G ON 20V 70mOhm 0.73W优势产品原装现货进口热卖
NTR4101PT1G产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 1.8A
Rds（最大）@ ID，VGS 85 mOhm @ 1.6A， 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1.2V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 8.5nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 675pF @ 10V
功率 - 最大 420mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 3.2 A
RDS -于 85@4.5V mOhm
最大门源电压 ±8 V
典型导通延迟时间 7.5 ns
典型上升时间 12.6 ns
典型关闭延迟时间 30.2 ns
典型下降时间 21 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±8
包装宽度 1.3
PCB 3
最大功率耗散 1250
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 85@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 2.9
引脚数 3
包装高度 0.94
最大连续漏极电流 3.2
封装 Tape and_Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 1.8A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1.2V @ 250μA
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
其他名称 NTR4101PT1GOSTR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 85 mOhm @ 1.6A， 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 420mW
漏极至源极电压（Vdss） 20V
输入电容（Ciss ） @ VDS 675pF @ 10V
闸电荷（Qg ） @ VGS 8.5nC @ 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 2.9 x 1.3 x 0.94mm
身高 0.94mm
长度 2.9mm
最大漏源电阻 0.085 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 0.73 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 7.5 nC V @ 4.5
典型输入电容@ VDS 675 pF V @ 10
宽度 1.3mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 - 3.2 A
正向跨导 - 闵 75 S
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 112 mOhms
功率耗散 0.73 W
上升时间 12.6 ns
漏源击穿电压 - 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 12.6 ns
漏极电流（最大值） 2.4 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?8 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.085 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :-3.2A
Drain Source Voltage Vds :-20V
On Resistance Rds(on) :0.07ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-4.5V
Threshold Voltage Vgs :-720mV
功耗 :1.25W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Weight (kg) 0.000033
Tariff No. 85412900
Current Id Max :3.2A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :-20V
Voltage Vgs Max :-720mV
Voltage Vgs Rds on Measurement :-4.5V
鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
公司:鑫锐电子(香港)有限公司
联系人:姚小姐
手机:13725590222
电话:0755-83780666/83265111
传真:0755-82800889
QQ: 3373563833
地址:深圳福田区福田北路华强广场B座26B
公司网址：www.xrdz-hk.com
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TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、、IRLML2502TRPBF、TP4101、IRLML6401TRPBF、TLV70433DBVR、PESD5V0S1BB、PSM712-LF-T7、NTR4171PT1G、SGM2036-3.3YUDH4G/TR 、SGM2036-1.8YUDH4G/TR、DMN2046U-7等等。
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沈阳市人民政府与恒大集团签署了战略合作协议。
据第一财经报道，根据协议，双方将围绕多个领域开展广泛深入合作。恒大集团将投资1200亿在沈阳建设新能源汽车三大基地等项目，助力沈阳建设国家汽车产业中心。其中，恒大新能源汽车的整车研发生产基地将落户浑南区，轮毂电机研发生产基地及动力电池超级工厂将落户铁西区。
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