一般信息

数据列表 IXF(H,K,T)44N50P;

标准包装 30

包装 管件

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 HiPerFET™，PolarHT™

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 44A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 4mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 98nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5440pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 658W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 140 毫欧 @ 22A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-247AD（IXFH）

封装/外壳 TO-247-3

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