一般信息

数据列表 CSD16323Q3;

标准包装 2,500

包装 标准卷带

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 NexFET™

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta），60A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 8.4nC @ 4.5V

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs 4.5V

Vgs（最大值） +10V，-8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 12.5V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds 12.5V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.5 毫欧 @ 24A，8V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-VSON（3.3x3.3）

封装/外壳 8-PowerTDFN

深圳市顺德利科技有限公司 0755-82725660 17727837185（微信75056055） QQ：782954141