制造商: Renesas Electronics

产品种类: MOSFET

技术: Si

封装 / 箱体: SC-70-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: - 30 V

Id-连续漏极电流: - 100 mA

Rds On-漏源导通电阻: 13000 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Single

通道模式: Enhancement

高度: 0.9 mm

长度: 2 mm

晶体管类型: 1 P-Channel

宽度: 1.25 mm

商标: Renesas Electronics

下降时间: 320 ns

Pd-功率耗散: 150 mW

上升时间: 330 ns

典型关闭延迟时间: 220 ns

典型接通延迟时间: 140 ns