类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 CoolMOS™

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零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 114nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2400pF @ 25V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 34.5W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 13.1A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 PG-TO220-3-31 整包

封装/外壳 TO-220-3 整包