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NTGS3441T1G PDF资料

数据列表 NTGS344T1;

标准包装 3,000

包装 标准卷带

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 -

其它名称 NTGS3441T1GOSTR

规格

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.65A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 5V

Vgs（最大值） ±8V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 500mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 3.3A，4.5V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 6-TSOP

封装/外壳 SOT-23-6