制造商： International Rectifier 最小包装量： 800PCS

封装： D2PAK 包装： REEL

类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合

产品描述： Single N-Channel 30 V 140 W 32 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3

参数 数值

功率 - 最大值 140W

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 4170pF @ 15V

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 47nC @ 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 2.3V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.8 mOhm @ 38A, 10V

FET 功能 Logic Level Gate

FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 150A (Tc)

漏源极电压 (Vdss) 30V

一般信息

数据列表 IRL7833(S,L)PbF;

标准包装 800

包装 标准卷带

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 HEXFET®

其它名称 IRL7833STRLPBF-ND

IRL7833STRLPBFTR

SP001568388

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 150A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 47nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4170pF @ 15V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 140W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.8 毫欧 @ 38A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK

封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

联系方式 ：

企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司

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