IRF3710ZS N沟道 MOS管 TO263 IR 59A100V

制造商： Infineon 最小包装量： 800PCS

封装： - 包装： -

类别： 其他 无铅情况/RoHS： 符合

产品描述： Single N-Channel 100 V 18 mOhm 82 nC HEXFET Power Mosfet Surface Mount - D2PAK

一般信息

数据列表 IRF3710Z(S,L)PbF;

标准包装 800

包装 标准卷带

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 HEXFET®

其它名称 IRF3710ZSTRLPBF-ND

IRF3710ZSTRLPBFTR

SP001570170

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 59A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 120nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 25V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 160W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 18 毫欧 @ 35A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK

封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司

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