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IDT71V256SA12TP	文件：67.97 Kbytes Page：6 Pages	LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT) DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES •Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache •Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V256SA12PZG	文件：190.09 Kbytes Page：9 Pages	LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit) Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V256SA12PZGI	文件：190.09 Kbytes Page：9 Pages	LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit) Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V256SA12YG	文件：190.09 Kbytes Page：9 Pages	LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit) Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V256SA12YGI	文件：190.09 Kbytes Page：9 Pages	LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit) Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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IDT71V256SA12PZ	文件：67.97 Kbytes Page：6 Pages	LOWPOWER3.3VCMOSFASTSRAM256K(32Kx8-BIT) DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES •Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache •Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V256SA12Y	文件：67.97 Kbytes Page：6 Pages	LOWPOWER3.3VCMOSFASTSRAM256K(32Kx8-BIT) DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES •Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache •Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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