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71V256SA12YGI集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
71V256SA12YGI |
| 参数属性 | 71V256SA12YGI 封装/外壳为28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
| 功能描述 | Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) |
| 文件大小 |
190.09 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Renesas Electronics America |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-24 18:46:00 |
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71V256SA12YGI规格书详情
Features
◆ Ideal for high-performance processor secondary cache
◆ Commercial (0°C to +70°C) and Industrial (–40°C to +85°C)
temperature range options
◆ Fast access times:
– Commercial and Industrial: 12/15/20ns
◆ Low standby current (maximum):
– 2mA full standby
◆ Small packages for space-efficient layouts:
– 28-pin 300 mil SOJ
– 28-pin TSOP Type I
◆ Produced with advanced high-performance CMOS
technology
◆ Inputs and outputs are LVTTL-compatible
◆ Single 3.3V(±0.3V) power supply
◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
◆ Green parts available, see ordering information
71V256SA12YGI属于集成电路（IC） > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的71V256SA12YGI存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号：
71V256SA12YGI
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
256Kb（32K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
12ns
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
- 供应商器件封装：
28-SOJ
- 描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
23+ |
TSOP |
18000 |
询价 | |||
IDT |
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