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IDT71V256SA12PZ

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LOW POWER 3.3V CMOS FAST SRAM 256K (32K x 8-BIT)

DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES •Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache •Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT71V256SA12PZ

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包装：卷带（TR） 封装/外壳：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

IDT71V256SA12PZG8

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Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)

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IDT71V256SA12PZGI8

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Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

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IDT71V256SA12PZI

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包装：卷带（TR） 封装/外壳：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP

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IDT71V256SA12PZI8

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包装：卷带（TR） 封装/外壳：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP

RENESASRenesas Electronics America

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71V256SA12PZG

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LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

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71V256SA12PZGI

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LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

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71V256SA12YG

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LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

RENESASRenesas Electronics America

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71V256SA12YGI

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LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit)

Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-

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71V256SA12YPZG

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LowerPower3.3VCMOSFastSRAM

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71V256SA12YPZGI

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LowerPower3.3VCMOSFastSRAM

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IDT71V256SA12TP

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LOWPOWER3.3VCMOSFASTSRAM256K(32Kx8-BIT)

DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES •Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache •Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)

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IDT71V256SA12Y

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LOWPOWER3.3VCMOSFASTSRAM256K(32Kx8-BIT)

DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES •Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache •Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)

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产品属性

  • 产品编号：

    IDT71V256SA12PZ

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别：

    集成电路（IC） > 存储器

  • 包装：

    卷带（TR）

  • 存储器类型：

    易失

  • 存储器格式：

    SRAM

  • 技术：

    SRAM - 异步

  • 存储容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存储器接口：

    并联

  • 写周期时间 - 字，页：

    12ns

  • 电压 - 供电：

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽）

  • 供应商器件封装：

    28-TSOP

  • 描述：

    IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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