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HUF75631SK8	文件：251.06 Kbytes Page：11 Pages	5.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.039Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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HUF75631SK8

文件：251.06 Kbytes

Page：11 Pages

5.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET

Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.039Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HUF75631SK8

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5.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET

Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.039Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.Intersil.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

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5.5A,100V,0.039Ohm,N-Channel,UltraFETPowerMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

详细参数

型号：
HUF75631SK8
功能描述：
MOSFET USE 512-FDS3682
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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