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HUF76113SK8	文件：384.59 Kbytes Page：11 Pages	6.5A,30V,0.030Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET ThisN-ChannelpowerMOSFETismanufacturedusingtheinnovativeUltraFET™process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandthed	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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HUF76113SK8

文件：384.59 Kbytes

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6.5A,30V,0.030Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET

ThisN-ChannelpowerMOSFETismanufacturedusingtheinnovativeUltraFET™process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandthed

Intersil

Intersil Corporation

Intersil

HUF76113SK8

文件：326.82 Kbytes

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6.5A,30V,0.030Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

详细参数

型号：
HUF76113SK8T
功能描述：
MOSFET USE 512-FDS6612A Logic Level N-Ch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多HUF76113SK8T供应商更新时间2024-9-20 15:49:00

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