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HUF76121D3	文件：281.34 Kbytes Page：11 Pages	20A,30V,0.023Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheinnovativeUltraFET™process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandth	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUF76121D3	文件：361.17 Kbytes Page：10 Pages	20A,30V,0.023Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheinnovativeUltraFET™process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandth	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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详细参数

型号：
HUF76121D3ST
功能描述：
MOSFET USE 512-FDD6612A Logic Level N-Ch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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