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HUF75623P3	文件：199.64 Kbytes Page：10 Pages	22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.064Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUF75623P3	文件：99.54 Kbytes Page：9 Pages	22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.064Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.intersil.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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HUF75623P3

文件：199.64 Kbytes

Page：10 Pages

22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs

Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.064Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HUF75623P3

文件：99.54 Kbytes

Page：9 Pages

22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET

Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.064Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.intersil.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

HUFA75623P3

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22A,100V,0.064Ohm,N-Channel,UltraFETPowerMOSFETs

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

详细参数

型号：
HUF75623P3
功能描述：
MOSFET 22a 100V N-Ch UltraFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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