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HUF75333P3	文件：108.43 Kbytes Page：9 Pages	66A,55V,0.016Ohm.N-ChannelUltraFETPowerMOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheinnovativeUltraFET™process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandth	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HUF75333P3	文件：325.05 Kbytes Page：10 Pages	66A,55V,0.016Ohm.N-ChannelUltraFETPowerMOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheinnovativeUltraFET®process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandth	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HUF75333P3	文件：371.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=66A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.016Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HUFA75333P3	文件：234.73 Kbytes Page：10 Pages	66A,55V,0.016Ohm.N-ChannelUltraFETPowerMOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheinnovativeUltraFET®process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandth	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
HUF75333P3_Q
功能描述：
MOSFET TO-220 N-CH 55V 66A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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