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HGTD1N120BNS9A	文件：96.46 Kbytes Page：8 Pages	5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT TheHGTD1N120BNSandHGTP1N120BNareNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesigns.TheyarenewmembersoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconduct	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGTD1N120BNS9A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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HGTD1N120BNS9A

文件：96.46 Kbytes

Page：8 Pages

5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

TheHGTD1N120BNSandHGTP1N120BNareNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesigns.TheyarenewmembersoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconduct

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HGTD1N120BNS9A

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：管件封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

产品属性

产品编号：
HGTD1N120BNS9A
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，1A
开关能量：
70µJ（开），90µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
15ns/67ns
测试条件：
960V，1A，82 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252AA
描述：
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	HGTD1N120BNS9A	FAIRCHILD	19+	TO-252	12490		询价
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