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HGTG30N60C3D	文件：144.62 Kbytes Page：8 Pages	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGTG30N60C3D	文件：131.12 Kbytes Page：8 Pages	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode Description TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvarieso	HARRIS HARRIS corporation	HARRIS
HGTG30N60C3D	文件：116.91 Kbytes Page：7 Pages	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HGTG30N60C3D	文件：299.66 Kbytes Page：9 Pages	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes Features •63A,600VatTC=25oC •TypicalFallTime...............230nsatTJ=150oC •ShortCircuitRating •LowConductionLoss •HyperfastAnti-ParallelDiode Packaging JEDECSTYLETO-247	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGTG30N60C3D	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 63A TO247-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HGTG30N60C3D_V01	文件：299.66 Kbytes Page：9 Pages	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes Features •63A,600VatTC=25oC •TypicalFallTime...............230nsatTJ=150oC •ShortCircuitRating •LowConductionLoss •HyperfastAnti-ParallelDiode Packaging JEDECSTYLETO-247	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G30N60C3D	文件：299.66 Kbytes Page：9 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes Features •63A,600VatTC=25oC •TypicalFallTime...............230nsatTJ=150oC •ShortCircuitRating •LowConductionLoss •HyperfastAnti-ParallelDiode Packaging JEDECSTYLETO-247	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGTG30N60C3	文件：99.55 Kbytes Page：6 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60C3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderately	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IXGA30N60C3	文件：281.01 Kbytes Page：6 Pages	GenX3600VIGBT HighSpeedPTIGBTsfor40-100kHzswitching Features Optimizedforlowswitchinglosses SquareRBSOA Internationalstandardpackages	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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产品属性

产品编号：
HGTG30N60C3D
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，30A
开关能量：
1.05mJ（开），2.5mJ（关）
输入类型：
标准
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 63A TO247-3

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